欧电阻的温度影响精度测试分析 取样电阻的温度影响精度测试分析 分流器的精确测试分析 分流器是测量直流电流用的,根据直流电流通过阻值很小的电阻时在电阻两端产生电压的原理制成。 在实际应用中,要测量一个很大的电流值,没有大量程..
肖特基二极管MUR3040PT 的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件 MUR3040PT(ON) 测试项目 1.二极管反向击穿电压 2.二极管正向压降 测试方法 1.测试二极管反向击穿电压 用20KV高精度测试**稳压可调电源反向连接二极管,测试二极管的反..
针对美容机行业,公司较新推出100Hz调Q模块和1Khz调Q模块。 美容机行业普遍采用低频LD泵浦的电光调Q激光器、灯泵调Q固体激光器、工作频率一般不**过100Hz,长春艾克思科技有限责任公司(Changchun AIKS Technology Co., Ltd.)和武汉亚..
长春艾克思3相逆变电源UPS顺利通过EMC认证 近日,长春艾克思科技有限责任公司研制的3相逆变电源UPS产品顺利通过EMC测试,标志着AIKS品牌逆变电源取得了进入国外市场的通行证,此项殊荣是一次一突破性的认证。 ??众所周知,由于逆变电源..
**:5kHz电光调Q电源增加压电振铃效应抑制功能! 电光调Q开关是利用晶体的电光效应制成的Q开关。电光调Q开关的开关速度快、器件的效率高等优点!但是正是由于较高的开关速度,在调Q器件两端都会形成压电振铃效应,这一效应增大了调Q开关..
电光调Q驱动器已经成为系列产品 ??? 我公司研制的电光调Q驱动器已经成为系列产品,分别为100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在测试阶段。
艾克思50kHz 脉冲“调Q电源” ? 应用案例 A:LD泵浦的高频电光调Q激光器 B:连续灯泵固体激光器(代替声光调Q) C:快速光开关 D:激光调Q实验教学仪器 ? 图片简要说明
AIKS较新隆重推出0-80V高精度可调高压电源 AIKS研究人员经过反复的研发和测试,成功的开发出适用静电纺丝,高压静电除尘,高压X射线发射器等的高精度可调高压电源。 ? 该电源采用了全桥软开关技术,使得电源效率大大提高;公司成功克服..
AIKS推出2kHz电光调Q模块,主要应用于激光打标机领域! 该模块在原有基础上,将工作频率提高到2kHz,自身消耗功率小于5W,体积小巧,很容易和激光器集成在一起。同时模块增加了和激光打标卡的接口,直接用于现有各种打标软件系统。
0-45A??高精度积木式LD半导体激光器恒流源 (型号:PWR-45A-20V) 应用范围:LD激光器驱动光纤激光器激光打标机高频调Q激光 优点:**:结构简单且容易实现任意大小电流输出,使用子模块搭积木式结构,客户维护方便快捷。 *二:基于子模块..
0-15A智能PID半导体制冷片恒流驱动源 (型号:TEC-300W-15A-20) 可用于控制激光器件、 医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代较新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术..
正负干扰抵消电光调Q干扰消除方法分析 高压窄脉冲干扰消除方法分析*二版 电光调Q是一种高压窄脉冲,具有高电压、大电流、宽频带范围强干扰的特性,电子设备在如此干扰的环境中,往往出现死机、误动作、花屏、甚至烧损等故障,这类故障的..
一、应用范围 1、高压实验 2、电器设备的绝缘耐压测试 3、 高压电容耐压测试 4、电子加速实验 5、 电离空气产生等离子体 6、半导体器件测试 7、IGBT测试 8、二极管测试 二、电源参数 类型 数值 单位 备注 输出电压 0-20.00 kV 电压控制 ..
图1 产品外观图 一、 概述 PID控制温度的参数、适应的温度范围有限,50~1300℃大温度范围的控制,一般采用多点曲线升温的方式,单一的PID参数容易引发高温段或者低温段的震荡现象,引发系统失调,损坏电热丝和热电偶,经过长期的实验调..
MJL4302A测试记录 测试目的:测试MJL4302A的合格率 测试项目: 1.测试Vceo集电极发射较反向击穿电压 2.测试正向饱和压降 测试工具: 20KV高精度测试**稳压可调电源、三极管MJL4302A、DF-80A 测试具体方法: 1.测试Vceo集电极发射较反向..
MOS管并联均流技术分析 IGBT管并联均流技术分析 BJT 管并联均流技术分析 普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联mos管的问题。..
毫欧电阻的温度影响精度测试分析 取样电阻的温度影响精度测试分析 分流器的精确测试分析 分流器是测量直流电流用的,根据直流电流通过阻值很小的电阻时在电阻两端产生电压的原理制成。 在实际应用中,要测量一个很大的电流值,没有大量..
肖特基二极管MUR3040PT 的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件 MUR3040PT(ON) 测试项目 1.二极管反向击穿电压 2.二极管正向压降 测试方法 1.测试二极管反向击穿电压 用20KV高精度测试**稳压可调电源反向连接二极管,测试二极管的反..
MOS管并联均流技术分析 IGBT管并联均流技术分析 BJT 管并联均流技术分析 普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联mos管的问题。..